Theo United Daily News của Đài Loan, Li Peiying, tổng giám đốc của Chi nhánh Nam Á, đã tuyên bố vào ngày 10 rằng ông đã hoàn thành nghiên cứu và phát triển độc lập công nghệ DRAM 10 nanomet và sẽ bắt đầu sản xuất thử nghiệm vào nửa cuối năm nay.
Được biết, chip bộ nhớ DRAM toàn cầu chủ yếu được kiểm soát bởi Samsung, SK Hynix và Micron. Chia sẻ của họ là hơn 95%. Lý do chính là ba bằng sáng chế công nghệ này tạo thành một ngưỡng rất cao. Rất khó để các công ty khác vượt qua. .
Chi nhánh Nam Á hiện tập trung vào công nghệ 20nm và nguồn công nghệ là Micron. Với việc đưa quy trình 10 nanomet của Nanya vào công nghệ độc lập, điều đó có nghĩa là nó sẽ không còn phụ thuộc vào ủy quyền của Micron trong tương lai và mỗi sản phẩm được phát triển bởi chính công ty. Chi phí được giảm đáng kể.
Li Peiying nói rằng Nanyake đã phát triển thành công công nghệ sản xuất bộ nhớ mới cho DRAM 10nm, cho phép thu nhỏ bền vững các sản phẩm DRAM trong ít nhất ba thời đại. Thế hệ đầu tiên của các sản phẩm chì 10nm, 8Gb DDR4, LPDDR4 và DDR5, sẽ được xây dựng trên nền tảng công nghệ sản phẩm và công nghệ xử lý độc lập và sẽ đưa vào sản xuất thử nghiệm sau nửa cuối năm 2020.
Công nghệ xử lý 10 nanomet thế hệ thứ hai đã bắt đầu nghiên cứu và phát triển, và sản xuất thử nghiệm dự kiến sẽ được giới thiệu vào năm 2022. Công nghệ xử lý 10 nanomet thế hệ thứ ba sẽ được phát triển trong tương lai. Ông nhấn mạnh rằng sau khi bước vào quy trình 10 nanomet, Nanya sẽ tập trung vào công nghệ tự phát triển, giảm chi phí cấp phép và cải thiện hiệu quả rất nhiều.
Cùng với sự phát triển của quy trình 10 nanomet, chi phí vốn của Nanya sẽ cao hơn 5,5 tỷ nhân dân tệ vào năm ngoái. Li Peiying nói rằng ngoài việc cải thiện chi phí, việc phát triển thành công công nghệ xử lý 10 nanomet thành công của Nanya sẽ giúp nắm bắt các cơ hội phát triển và tiến bộ công nghệ đối với các sản phẩm mới có mật độ cao.